圧電性と呼ばれる性能が非常に大きく、電気を印加すると伸縮し応力を加えると電気を生ずる。この特性を利用してＳＡＷフィルターとして用いられる。
外径は主に３インチ、４インチがあり、高精度な面精度、オリフラ精度、端面加工精度が可能。
主面方位は128Ｙ、64Ｙ、Ｙカット他　幅広い対応が可能。
ＳＡＷフィルター用基板の特徴であるウェハ裏面からのノイズ(スプリアス)を防ぐ為に片面鏡面研磨が主流。コロイダルシリカでのメカノケミカルポリッシュで鏡面粗度は数十ｎｍと非常に優れている。
裏面の粗度は、Ra＝0.1μm〜4μmと幅広く加工可能。
厚さは200μm〜1mmと幅広く高精度な平行度、平坦度が特徴。


LNは複屈折が大きい。複屈折とは、常光線屈折率と異常光線屈折率の差をいう。
LNの複屈折は水晶の10倍あり、ローパスフィルターの厚みを薄くできる特徴があるため、交換レンズ等を用いたカメラに用いられる。
形状は角板が主流で、サイズ・厚さは任意対応可能です。
角状の両面鏡面研磨。光用途の特徴である高精度な平坦性、平行性の研磨加工。


圧電性と呼ばれる性能が非常に大きく、電気を印加すると伸縮し応力を加えると電気を生ずる。この特性を利用して周波数による角度制御を行うジャイロセンサ−として用いられる。
主流は３インチ、４インチのウェハ形状であり、主面方位・厚さは任意対応可能。
両面ラップ・両面研磨が可能。


基板表面にTi拡散もしくはプロトン交換により光導波路を作成し、光デバイス用の基板に用いられ、高品位結晶、高精度研磨が特徴。
主流は３インチ、４インチがウェハの形状であり、サイズ・厚さ・主面方位は任意対応可能。結晶方位はZ方位、X方位が多い。
片面研磨、両面研磨の選択が可能。
研磨は導波路作成に最適なメカノケミカル研磨を採用。
ご要求に応じ結晶品質評価としてＸ線トポグラフィ−写真添付。


第２次高調波(SHG)の特性を利用し、導入光の半分の長さの波長の光を放出する材料として用いられる。変換後の出力を大きくする為に、結晶の光損傷が問題となる場合が多い。MgOやZnOのドープLNが多く使用される。高濃度のドープが可能。
基板としては、３インチが主流で面方位はZ方位が多い。
片面研磨、両面研磨が可能。
研磨は導波路作成用に開発したメカノケミカル研磨で低歪の高品位、高精度の研磨が特徴。


エピ用基板に必要な格子定数を設定した結晶基板。
外径は２インチ、３インチがある。主面方位・オリフラ方位は任意対応可能。
両面鏡面研磨が主流。光用途の特徴である高精度な平坦性、平行性の研磨が可能。
必要に応じ、格子定数を測定。